BAQUIA

Intel anuncia un nuevo proceso de fabricación de última generación

Intel Corporation ha desarrollado lo primeros chips SRAM (Memoria Estática de Acceso Aleatorio) utilizando tecnología de 65 nanómetros, su próxima generación de proceso de fabricación de semiconductores. Intel pretende poner en funcionamiento esta tecnología en 2005 empleando obleas de 300 mm.

Este nuevo proceso de 65 nm combina transistores de mayor rendimiento y menor consumo con la segunda generación de silicio tensionado de Intel, interconexiones de cobre de alta velocidad y un nuevo material dielectrico denominado \”low-k\”. La fabricación de chips empleando el proceso de 65 nanómetros permitirá a Intel doblar el número de transistores incluidos actualmente en un chip.

\”Este avance sitúa la tecnología de 65 nanómetros de Intel en la mejor posición con vista a ampliar nuestro record de 15 años, en los que cada dos años hemos anunciado un nuevo proceso de fabricación. De hecho, sólo han transcurrido veinte meses desde que presentamos módulos SRAM con tecnología de 90 nanómetros\” afirma Sunlin Chou, vicepresidente senior de Intel y director general de la División de Tecnología y Fabricación. \”La tecnología de 65 nanómetros nos permitirá fabricar mejores productos y con menor coste, al tiempo que continuamos ampliando la Ley de Moore\”.

Detalles del proceso tecnológico

Transistores avanzados: El nuevo proceso de Intel de 65 nanómetros permitirá transistores de sólo 35 nanómetros de longitud de puerta, que será los más pequeños y de mayor rendimiento entre los transistores CMOS actualmente fabricados en volumen. Como comparativa, los transistores más avanzados producidos en la actualidad, que se encuentran en el procesador Intel Pentium 4, miden 50 nanómetros. Unos transistores pequeños y rápidos son la base para unos procesadores muy rápidos

Silicio tensionado: Intel ha integrado en este proceso una versión de segunda generación de su silicio tensionado de alto rendimiento. Este tipo de silicio origina una mayor corriente conductora, aumentando la velocidad de los transistores con sólo un incremento del 2% en el coste de producción.

Interconectores de cobre con nuevo dieléctrico \”low-k\”: El proceso integra ocho capas de cobre interconectadas, utilizando un material dieléctrico \”low-k\” que incrementa la velocidad de la señal dentro del chip y reduce el consumo de energía.

Intel ha utilizado el proceso de 65 nm para fabricar chips SRAM de cuatro Megabits con un tamaño de celda mínimo (0.57 µm2). Este reducido tamaño permite la integración de mayores cachés en los procesadores, con lo que aumenta su rendimiento. Cada celda de memoria SRAM tiene seis transistores: 10 millones de estos transistores ocuparían un milímetro cuadrado, lo que equivale aproximadamente al tamaño de la punta de un bolígrafo.

\”El desarrollo del proceso de 65 nm de Intel evoluciona con satisfacción y estamos fabricando estas nuevas obleas y chips en nuestro laboratorio de desarrollo\” afirma Mark Bohr, socio senior de Intel y director de arquitectura de procedimientos e integración. \”En 2005, esperamos ser la primera compañía en tener un proceso de 65 nm en producción\”.

Los dispositivos semiconductores de 65 nm se fabricaron en el laboratorio de desarrollo de la fábrica de 300 mm de Intel (denominada D1D) en Hillsboro, Oregón, donde se desarrolló el nuevo proceso de fabricación. D1D es la fábrica más nueva de Intel , cuyo tamaño es el de tres campos de fútbol

Las máscaras desarrolladas por Intel extienden la vida útil de las herramientas para litografía

El disponer de un equipo interno de fabricación de máscaras ha sido esencial para el desarrollo de máscaras que permiten el uso de los actuales equipos de litografía de longitud de onda de 193 nm en los procesos de 65 nm. La compañía espera reutilizar el equipo para litografía de 193 nm y 248 nm, que se utilizan actualmente en el proceso de 90 nm, así como actualizar algunas herramientas de 193 nm. De esta forma, disminuirán los costes de implementación y se asegura un conjunto de herramientas sólido para el nuevo proceso de fabricación. La tecnología de 65 nm comenzará a producirse en volumen en la fábrica D1D y se transferirá a otras fabricas de 300nm a principios de 2005.
Puede encontrar más información en la dirección http:// www.intel.com/research/silicon.

Para más información, visite http://www.intel.es o http://www.intel.com/pressroom.


Compartir en :


Noticias relacionadas

Recomendamos




Comentarios