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La revolución de las tecnologías de almacenamiento

Un grupo de investigadores españoles del Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona (ICMAB-CSIC), junto con otro grupo de científicos franceses han desarrollado una nueva tecnología revolucionaría en cuestiones de almacenamiento de información. Se trata de una nueva generación de materiales denominados biferroicos y que debido a sus características eléctricas y magnéticas podrían ampliar sustancialmente la capacidad de almacenamiento de memoria de los dispositivos que encontramos actualmente en el mercado.

El estudio se publica en la edición digital de la revista Nature Materials y pone de manifiesto que al tratarse de un material que posee campos magnéticos y eléctricos simultáneamente, puede combinar las actuales tecnologías de las memorias magnéticas y ferroeléctricas que existen en el mercado, aprovechando lo mejor de ellas y evitando sus desventajas.

Los científicos españoles que han participado en la investigación han contribuído con aportaciones fundamentales como la identificación y selección de los materiales necesarios y su crecimiento y caracterización. Un artículo de James Scott de la Universidad de Cambridge (Reino Unido), que acompaña al estudio sugiere que este tipo de material pronto desbancará a los actuales dispositivos de memoria y su comercialización será exitosa.

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